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世界首臺(tái)非硅二維材料計(jì)算機(jī)問(wèn)世 有助造出更薄更快更節(jié)能電子產(chǎn)品

時(shí)間:2025-06-13 11:32:31 新華網(wǎng) 22

硅在支撐智能手機(jī)、電腦、電動(dòng)汽車(chē)等產(chǎn)品的半導(dǎo)體技術(shù)中一直占據(jù)著王者地位,但美國(guó)賓夕法尼亞州立大學(xué)領(lǐng)導(dǎo)的一個(gè)研究團(tuán)隊(duì)發(fā)現(xiàn),“硅王”的統(tǒng)治地位可能正在受到挑戰(zhàn)。該團(tuán)隊(duì)在最新一期《自然》雜志上發(fā)表了一項(xiàng)突破性成果:他們首次利用二維材料制造出一臺(tái)能夠執(zhí)行簡(jiǎn)單操作的計(jì)算機(jī)。這項(xiàng)研究標(biāo)志著向造出更薄、更快、更節(jié)能的電子產(chǎn)品邁出了重要一步。ksr萬(wàn)博士范文網(wǎng)-您身邊的范文參考網(wǎng)站Vanbs.com

此次開(kāi)發(fā)的是一種互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)計(jì)算機(jī)。與以往不同的是,這次沒(méi)有使用硅,取而代之的是兩種二維材料:用于n型晶體管的二硫化鉬和用于p型晶體管的二硒化鎢。這兩種材料的厚度只有一個(gè)原子,在如此微小尺度下仍能保持優(yōu)異的電子性能,是硅所不具備的優(yōu)勢(shì)。ksr萬(wàn)博士范文網(wǎng)-您身邊的范文參考網(wǎng)站Vanbs.com

團(tuán)隊(duì)采用金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)技術(shù),生長(zhǎng)出大面積的二硫化鉬和二硒化鎢薄膜,并分別制造出超過(guò)1000個(gè)n型和p型晶體管。通過(guò)精確調(diào)整制造工藝和后續(xù)處理步驟,團(tuán)隊(duì)成功調(diào)控了n型和p型晶體管的閾值電壓,從而構(gòu)建出功能完整的CMOS邏輯電路。ksr萬(wàn)博士范文網(wǎng)-您身邊的范文參考網(wǎng)站Vanbs.com

該二維CMOS計(jì)算機(jī)稱(chēng)為“單指令集計(jì)算機(jī)”,可以在低電源電壓下運(yùn)行,功耗極低,并能在高達(dá)25千赫的頻率下執(zhí)行簡(jiǎn)單的邏輯運(yùn)算。雖然目前的工作頻率低于傳統(tǒng)硅基CMOS電路,但該計(jì)算機(jī)依然能夠完成基本的計(jì)算任務(wù)。團(tuán)隊(duì)還開(kāi)發(fā)了一個(gè)計(jì)算模型,使用實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)進(jìn)行校準(zhǔn)并結(jié)合設(shè)備之間的差異,以預(yù)測(cè)二維CMOS計(jì)算機(jī)的性能,并通過(guò)基準(zhǔn)測(cè)試將其與最先進(jìn)的硅技術(shù)進(jìn)行了對(duì)比。ksr萬(wàn)博士范文網(wǎng)-您身邊的范文參考網(wǎng)站Vanbs.com

團(tuán)隊(duì)表示,盡管還有進(jìn)一步優(yōu)化的空間,但這已經(jīng)是二維材料在電子領(lǐng)域應(yīng)用中的一個(gè)重要里程碑。這項(xiàng)研究成果不僅為下一代電子設(shè)備提供了全新的材料選擇,也為未來(lái)芯片設(shè)計(jì)開(kāi)辟了新方向。ksr萬(wàn)博士范文網(wǎng)-您身邊的范文參考網(wǎng)站Vanbs.com

硅在支撐智能手機(jī)、電腦、電動(dòng)汽車(chē)等產(chǎn)品的半導(dǎo)體技術(shù)中一直占據(jù)著王者地位,但美國(guó)賓夕法尼亞州立大學(xué)領(lǐng)導(dǎo)的一個(gè)研究團(tuán)隊(duì)發(fā)現(xiàn),“硅王”的統(tǒng)治地位可能正在受到挑戰(zhàn)。該團(tuán)隊(duì)在最新一期《自然》雜志上發(fā)表了一項(xiàng)突破性成果:他們首次利用二維材料制造出一臺(tái)能夠執(zhí)行簡(jiǎn)單操作的計(jì)算機(jī)。這項(xiàng)研究標(biāo)志著向造出更薄、更快、更節(jié)能的電子產(chǎn)品邁出了重要一步。ksr萬(wàn)博士范文網(wǎng)-您身邊的范文參考網(wǎng)站Vanbs.com

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